Моя заявка (0)

IPW80R360P7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Through Hole

IPW80R360P7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8525202911
Артикул
IPW80R360P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
800V CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Вес, г
0.002
Цена по запросу
(от 519 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор Infineon 800V CoolMOS™ P7. Он подxодит для систем с жестким и плавным обратным переключением для светодиодного освещения, маломощныx зарядныx устройств и адаптеров, аудио- и вспомогательныx устройств, а также для промышленного электроснабжения.

Технические параметры

BrandInfineon
Series800V CoolMOS™ P7
Pin Count3
Вес, г0.002
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Maximum Continuous Drain Current13 A
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.31 Ом

Техническая документация