IPW65R660CFDFKSA1, Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293953
- Артикул
- IPW65R660CFDFKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 257 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 650V 6A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) TO-247
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.21(Max)mm |
| Package Length | 16.3(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | CoolMOS CFD2 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 62500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 650 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 615@100V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 660@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |