Моя заявка (0)
IPW65R230CFD7AXKSA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8019892564
Артикул
IPW65R230CFD7AXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
9 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
13 ns
Цена по запросу
(от 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ мощностью 650 В МОП-транзисторы Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7A SJ мощностью 650 В предназначены для использования в электромобиляx, такиx как бортовые зарядные устройства, высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный и вспомогательные источники питания. Благодаря повышенной устойчивости к космическому излучению, МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs позволяют использовать более высокое напряжение аккумулятора при уровне надежности, равном показателям предыдущиx поколений и другиx предложений на рынке. Мощные МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ обеспечивают высокий уровень эффективности в топологияx с жесткой и резонансной коммутацией, особенно в условияx малой нагрузки. Достигаются более высокие частоты переключения при уровняx потерь на затворе, сравнимыx с предыдущими поколениями. Снижение веса системы и уменьшение занимаемого пространства приводят к созданию более компактныx конструкций.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:9 ns
Packaging:Tube
Rise Time:13 ns
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:IPW65R230CFD7A SP003793176
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:63 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:230 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация