Моя заявка (0)

IPW65R115CFD7AXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Through Hole

IPW65R115CFD7AXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046390013
Артикул
IPW65R115CFD7AXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
41 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
114 W
Package
TO-247
Цена по запросу
(от 1 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор AUTOMOTIVE

Технические параметры

Q(g)41 nC
V(DS)650 V
P(tot)114 W
PackageTO-247
R(thJC)1.1 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveAEC-Q(101)
TechnologyCoolMOS
Вес, г0.001
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V103 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C21 A
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Continuous Drain Current82 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Другие названия товара №IPW65R115CFD7A SP003793162
Размер фабричной упаковки240
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.103 Ом

Техническая документация