Моя заявка (0)
IPW65R110CFDA, MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004723320
Артикул
IPW65R110CFDA
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS CFDA
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 836,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS CFDA
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г8
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:SP000895236 IPW65R11CFDAXK IPW65R110CFDAFKSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:118 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:277.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:68 ns
Id - Continuous Drain Current:31.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:99 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Пороговое напряжение на затворе5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А31.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация