IPW65R095C7XKSA1, Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180405
- Артикул
- IPW65R095C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- Infineon Technologies
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPW65R095C7XKSA1 от INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстие (THT). Этот транзистор выделяется током стока в 24 А и напряжением сток-исток, достигающим 650 В, что обеспечивает его надежную работу в различных силовых применениях. Его мощность в 128 Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,095 Ом гарантируют высокую эффективность при минимальных потерях энергии. Устройство помещено в прочный корпус PG-TO247, обеспечивающий удобную интеграцию в различные электронные схемы и системы. Используя транзистор IPW65R095C7XKSA1, вы получаете надежный компонент от известного производителя, способный удовлетворить требования самых ответственных проектов. Обратите внимание, что для заказа нужно указать код товара без пробелов и специальных символов: IPW65R095C7XKSA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 24 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 128 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.095 Корпус PG-TO247
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 7 ns |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO 247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IPW65R095C7 SP001080128 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Process Technology | CoolMOS |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 128 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 128000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 45 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 84 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 24 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2140@400V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 95@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 128 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |