IPW65R080CFDFKSA2,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050421500
- Артикул
- IPW65R080CFDFKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 167 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 391 W
- Package
- TO-247
Цена по запросу
(от 1 690 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 43,3А (Tc) 391 Вт (Tc) Со сквозным отверстием PG-TO247-3
Технические параметры
| Q(g) | 167 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 391 W |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 0.32 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 0.072 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| Package / Case | TO-247-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 43.3 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.8mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17.6A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 391W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5030 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43.3A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.072 Ом |