Моя заявка (0)

IPW65R065C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 33А, 171Вт, PG-TO247, CoolMOS™

IPW65R065C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 33А, 171Вт, PG-TO247, CoolMOS™

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073368766
Артикул
IPW65R065C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS C7
Series:
CoolMOS C7
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 768,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор МОП n-канальный, 650В, 33А, 171Вт, PG-TO247, CoolMOS™ Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS C7
Series:CoolMOS C7
Pin Count3
Fall Time:7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г0.03
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:IPW65R065C7 SP001080116
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:64 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:171 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Maximum Drain Source Voltage700 V
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:33 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.065 O
Maximum Continuous Drain Current145 A
Rds On - Drain-Source Resistance:58 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240

Техническая документация