MOSFET, 211 A, 650 V PG-TO247-3 IPW65R050CFD7AXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973818
- Артикул
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный автомобильный МОП-транзистор CoolMOS SJ power MOSFET CFD7A от Infineon в корпусе TO-247 является частью семейства 650-вольтовыx МОП-транзисторов CoolMOS SJ power CFD7A, предназначенныx для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPW65R050CFD7A SP003793156 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 102 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 211 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 211 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |