Транзистор полевой IPW65R045C7 MOSFET N-Ch 650V 46.9A 45mOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070017743
- Артикул
- IPW65R045C7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 14 ns
Цена по запросу
(от 2 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор IPW65R045C7 — изделие серии IPW65. Характеристики Обозначение: IPW65R045C7 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 650V 46.9A 45mOhm Масса: 6 г Производитель: Infineon Единица измерения: шт
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP000929412 IPW65R045C7FKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 93 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |