Моя заявка (0)
MOSFET, 304 A, 700 V PG-TO247-3 InfIneon IPW65R029CFD7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070127338
Артикул
IPW65R029CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
8.55
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 1 692,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPW65R029CFD7, SP005413355

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г8.55
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO247-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:IPW65R029CFD7 SP005413355
Power Dissipation305Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:145 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:305 W
Квалификация-
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Drain Source Voltage700 V
Id - Continuous Drain Current:69 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.024Ом
Maximum Continuous Drain Current304 A
Rds On - Drain-Source Resistance:29 mOhms
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:700 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Непрерывный Ток Стока69А
Рассеиваемая Мощность305Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.024Ом

Техническая документация