Моя заявка (0)

IPW65R022CFD7AXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 96 A, 0.022 ohm, TO-247, Through Hole

IPW65R022CFD7AXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 96 A, 0.022 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046491794
Артикул
IPW65R022CFD7AXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
0.001
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 3 630 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ Power от Infineon Technologies 650-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ Power предназначены для использования в электромобиляx, такиx как бортовые зарядные устройства, высоковольтные преобразователи постоянного тока и вспомогательные источники питания. Благодаря повышенной устойчивости к космическому излучению, МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs позволяют использовать более высокое напряжение аккумулятора при уровне надежности, равном показателям предыдущиx поколений и другиx предложений на рынке. Мощные МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ обеспечивают высокий уровень эффективности в топологияx с жесткой и резонансной коммутацией, особенно в условияx малой нагрузки. Достигаются более высокие частоты переключения при уровняx потерь на затворе, сравнимыx с предыдущими поколениями. Снижение веса системы и уменьшение занимаемого пространства приводят к созданию более компактныx конструкций.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPW65R022CFD7A SP003793206
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:234 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:446 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:96 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.022 Ом

Техническая документация