IPW65R019C7FKSA1, MOSFET транзистор IPW65R019C7 SP000928646 INF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8192940635
- Артикул
- IPW65R019C7FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Qg
- 215 нКл
- Width
- 21.1mm
- Series
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 2 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Qg | 215 нКл |
| Width | 21.1mm |
| Series | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Полярность | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 446 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Диапазон рабочих температур | -55°C~150°C |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |