IPW65R019C7, MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723316
- Артикул
- IPW65R019C7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 3
- Длина
- 16.13 mm
- Серия
- CoolMOS C7
- Высота
- 21.1 mm
Цена по запросу
(от 3 176,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Длина | 16.13 mm |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Высота | 21.1 mm |
| Корпус | to247 |
| Ширина | 5.21 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 5 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 215 nC |
| Время нарастания | 27 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Другие названия товара № | IPW65R019C7FKSA1 SP000928646 |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 106 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |