Моя заявка (0)

IPW60R190P6FKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Through Hole

IPW60R190P6FKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8553449823
Артикул
IPW60R190P6FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.21mm
Series
CoolMOS P6
Pin Count
3
Вес, г
8.5
Цена по запросу
(от 548 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20,2A 151Вт 0,19Ом TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT

Технические параметры

Width5.21mm
SeriesCoolMOS P6
Pin Count3
Вес, г8.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage0.9V
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation151 W
Typical Gate Charge @ Vgs37 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance190 mΩ
Maximum Continuous Drain Current20 A
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт151
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.171 Ом

Техническая документация