IPW60R190P6, MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635593
- Артикул
- IPW60R190P6
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS P6
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS P6 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP001017090 IPW60R190P6FKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 151 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 171 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 151 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |