Моя заявка (0)

CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R190C6FKSA1

CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R190C6FKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8520917155
Артикул
IPW60R190C6FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO247-3
Q(g)
63 nC
V(DS)
650 V
Width
5.21mm
Цена по запросу
(от 1 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

CasePG-TO247-3
Q(g)63 nC
V(DS)650 V
Width5.21mm
P(tot)34 W
SeriesCoolMOS™ C6
PackageTO-247
R(thJC)3.7 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS™ C6
Вес, г6.15
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypeTO-247
Polarisationunipolar
ConfigurationN-CH
Drain current20.2A
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V190 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C20.2 A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation151W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.19Ω
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage600V
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation151 W
Typical Gate Charge @ Vgs63 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance190 mΩ
Maximum Continuous Drain Current20 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт151
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация