Моя заявка (0)

IPW60R180C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO247

IPW60R180C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644301
Артикул
IPW60R180C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ C7
Series:
CoolMOS C7
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 560 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS™ C7
Series:CoolMOS C7
Pin Count3
Packaging:Tube
Tradename:CoolMOS
Вес, г0.5
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPW60R180C7 SP001296232
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
СтруктураN-МОП
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:68 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.18 O
Maximum Continuous Drain Current13 A
Rds On - Drain-Source Resistance:180 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Пороговое напряжение на затворе3.5V@3.3mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация