CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R170CFD7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024463474
- Артикул
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS
- Series:
- CoolMOS CFD7
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Cool MOS от Infineon представляет собой революционную теxнологию для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанную в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые внедренную компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS |
| Series: | CoolMOS CFD7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPW60R170CFD7 SP001617988 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.17 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 144 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |