IPW60R125P6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002218485
- Артикул
- IPW60R125P6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.21 mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPW60R125P6XKSA1 от производителя Infineon представляет собой мощный компонент в корпусе PG-TO247, предназначенный для монтажа типа THT. Этот N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 30 А и напряжением сток-исток 600 В, что обеспечивает его применение в высоковольтных схемах. С мощностью 219 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,125 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Компонент IPW60R125P6XKSA1 идеален для использования в источниках питания, инверторах и других применениях, где требуется управление большими токами. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 30 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 219 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.125 Корпус PG-TO247
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.21 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 21.1 mm |
| Length | 16.13 mm |
| Series | CoolMOS P6 |
| Series: | CoolMOS P6 |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 9 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | PG-TO 247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | IPW60R125P6 SP001114656 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IPW60R125P6 SP001114656 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 56 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Pd - Power Dissipation | 219 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 219 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 113 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 219 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |