IPW60R125CPFKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 25А, 208Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007267945
- Артикул
- IPW60R125CPFKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.21mm
- Series
- CoolMOS CP
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.14
Цена по запросу
(от 980 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 5.21mm |
| Series | CoolMOS CP |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.14 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |