Моя заявка (0)

IPW60R125CFD7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Through Hole

IPW60R125CFD7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000587532
Артикул
IPW60R125CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS CFD7
Pin Count
3
Вес, г
0.426
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 730 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPW60R125CFD7, SP001686040

Технические параметры

SeriesCoolMOS CFD7
Pin Count3
Вес, г0.426
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation92Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.125 O
Drain Source On State Resistance0.104Ом
Maximum Continuous Drain Current18 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока18А
Рассеиваемая Мощность92Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.104Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.104 Ом

Техническая документация