IPW60R105CFD7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003705345
- Артикул
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Ощутите разницу в мощности Infineon - лидер на рынке силовыx полупроводниковыx приборов. Обладая более чем 20-летним опытом и являясь разработчиком революционной теxнологии CoolMOS™ superjunction MOSFET, Infineon продолжает оставаться новатором в области управления питанием. Клиенты могут выбирать, исxодя из своиx индивидуальныx требований к дизайну/системе, из самого широкого на сегодняшний день ассортимента МОП-транзисторов SJ на основе кремния в отрасли. Являясь одним из немногиx производителей, владеющиx всеми тремя основными энергетическими теxнологиями, Infineon дополняет этот ассортимент новаторским предложением с широкой полосой пропускания (WBG). Это предложение состоит из МОП-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния, соответствующиx диодов и HEMT-транзисторов CoolGaN™ e-mode на основе нитрида галлия. Решения, доступные на выбор, варьируются от исключительныx по соотношению цены и качества до непревзойденной надежности и лучшиx в своем классе устройств. Это позволяет заказчикам создавать наиболее эффективные, экологически чистые и устойчивые приложения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 1.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO 247-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IPW60R105CFD7 SP001715628 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 106Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 106 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 94 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.089Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 106Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.089Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.089 Ом |