Моя заявка (0)
IPW60R099P7XKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006235784
Артикул
IPW60R099P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
600V CoolMOS P7
FET Type
N-Channel
Pin Count
3
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 558,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Cool MOS P7 super junction на 600 В продолжает обеспечивать баланс между высокой эффективностью и простотой использования в процессе проектирования.

Технические параметры

Series600V CoolMOS P7
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2.27
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Power Dissipation117Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 530µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 10.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)117W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO247-3
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage600 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.099 Ω
Drain Source On State Resistance0.077Ом
Maximum Continuous Drain Current34 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1952 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A(Tc)
Непрерывный Ток Стока31А
Рассеиваемая Мощность117Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.077Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация