Моя заявка (0)

IPW60R099C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 110Вт, PG-TO247

IPW60R099C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 110Вт, PG-TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644300
Артикул
IPW60R099C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4.5 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 850 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 110Вт, PG-TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4.5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:8 ns
Вес, г0.5
Technology:Si
Package TypePG-TO 247
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSMD
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPW60R099C7 SP001298004
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:42 nC
СтруктураN-МОП
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Особенности-
Pd - Power Dissipation:110 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11.8 ns
Maximum Drain Source Voltage650 V
Typical Turn-Off Delay Time:54 ns
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current22 A
Rds On - Drain-Source Resistance:85 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе3.5V@3.3mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация