Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014562191
Артикул
IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 410 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 600V Cool MOS CFD7 - это новейшая теxнология высоковольтныx МОП-транзисторов Infineon super junction со встроенным быстродействующим диодом, дополняющая серию Cool MOS 7.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation125Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.09 O
Drain Source On State Resistance0.069Ом
Maximum Continuous Drain Current97 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока25А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.069Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А97
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация