IPW60R080P7XKSA1, , Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038948049
- Артикул
- IPW60R080P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Series
- CoolMOS™ C7
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 730 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon 600V Cool MOS™ P7 является преемником серии 600V Cool MOS™ P6. В процессе проектирования по-прежнему соблюдается баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-247-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 129(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 37(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*31/150 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 129 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |