IPW60R070C6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 53A 391Вт 0,07Ом T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062031883
- Артикул
- IPW60R070C6FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 170 nC
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 5.21mm
- P(tot)
- 391 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPW60R070C6FKSA1 производства INFINEON является высокомощным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Этот полупроводниковый компонент характеризуется током стока 53 А и напряжением сток-исток до 600 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Мощность устройства составляет 391 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,07 Ом, что обеспечивает эффективную работу и низкие энергетические потери. Транзистор упакован в надежный корпус PG-TO247, обеспечивающий долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Модель IPW60R070C6FKSA1 станет отличным выбором для силовых цепей, инверторов и преобразователей напряжения. Купите IPW60R070C6FKSA1 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 53 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 391 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.07 Корпус PG-TO247
Технические параметры
| Q(g) | 170 nC |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 5.21mm |
| P(tot) | 391 W |
| Series | CoolMOS C6 |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 0.32 K/W |
| Military | No |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Technology | CoolMOS C6 |
| Вес, г | 6.1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 70 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 53 A |
| Supplier Package | TO-247 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 391 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 53 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 391000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 170@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 53 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3800@100V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 70@10V |