Моя заявка (0)

IPW60R070C6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 53A 391Вт 0,07Ом T

IPW60R070C6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 53A 391Вт 0,07Ом T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023131244
Артикул
IPW60R070C6FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
170 nC
V(DS)
600 V
Width
5.21mm
P(tot)
391 W
Цена по запросу
(от 918 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPW60R070C6FKSA1 производства INFINEON является высокомощным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Этот полупроводниковый компонент характеризуется током стока 53 А и напряжением сток-исток до 600 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Мощность устройства составляет 391 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,07 Ом, что обеспечивает эффективную работу и низкие энергетические потери. Транзистор упакован в надежный корпус PG-TO247, обеспечивающий долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Модель IPW60R070C6FKSA1 станет отличным выбором для силовых цепей, инверторов и преобразователей напряжения. Купите IPW60R070C6FKSA1 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 53 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 391 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.07 Корпус PG-TO247

Технические параметры

Q(g)170 nC
V(DS)600 V
Width5.21mm
P(tot)391 W
SeriesCoolMOS C6
PackageTO-247
R(thJC)0.32 K/W
MilitaryNo
MountingTHT
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
TechnologyCoolMOS C6
Вес, г6.1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V70 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C53 A
Supplier PackageTO-247
Process TechnologyCoolMOS
Transistor MaterialSi
Standard Package NameTO-247
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation391 W
Typical Gate Charge @ Vgs170 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance70 mΩ
Maximum Continuous Drain Current53 A
Maximum Power Dissipation - (mW)391000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)170
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)170@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Maximum Drain Source Voltage - (V)600
Maximum Continuous Drain Current - (A)53
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)3800@100V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)70@10V

Техническая документация