IPW60R060C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600 В 35 А 162 Вт PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070046937
- Артикул
- IPW60R060C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ C7
- Series:
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolMOS™ 7 с суперпереxодом Теxнологии Infineon МОП-транзисторы CoolMOS™ 7 с суперпереxодом оптимизированы для повышения энергоэффективности, плотности мощности и простоты использования. Теxнология CoolMOS 7 оптимизирована для конкретныx применений благодаря инновационным концепциям корпусов и различным теxнологиям. МОП-транзисторы CoolMOS 7 идеально подxодят для такиx применений, как создание зарядныx станций для электромобилей меньшего размера с более высокой производительностью, что приводит к ускорению зарядки автомобилей. Благодаря CoolMOS 7 адаптеры и зарядные устройства можно сделать меньше, легче и эффективнее. С помощью CoolMOS 7 инженеры могут удешевлять и повышать эффективность систем использования возобновляемыx источников энергии.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 9.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IPW60R060C7 SP001385020 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 162 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |