Моя заявка (0)

CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1

CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017359047
Артикул
IPW60R060C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ C7
Series:
CoolMOS C7
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 1 398,60 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600 В 35 А 162 Вт PG-TO247-3 Характеристики Категория Транзистор

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS™ C7
Series:CoolMOS C7
Pin Count3
Fall Time:4 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:IPW60R060C7 SP001385020
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:162 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:15.5 ns
Maximum Drain Source Voltage600 V
Typical Turn-Off Delay Time:79 ns
Id - Continuous Drain Current:35 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.06 Ω
Maximum Continuous Drain Current35 A
Rds On - Drain-Source Resistance:52 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация