Моя заявка (0)

CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 206 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R045P7XKSA1

CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 206 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R045P7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016695846
Артикул
IPW60R045P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 801,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ P7 с суперпереxодом является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В процессе проектирования он по-прежнему обеспечивает баланс между высокой эффективностью и простотой использования.

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation201Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.045 Ω
Drain Source On State Resistance0.038Ом
Maximum Continuous Drain Current206 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока61А
Рассеиваемая Мощность201Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.038Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А206
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация