Моя заявка (0)

IPW60R045CPFKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 60А, 431Вт, PG-TO247-3

IPW60R045CPFKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 60А, 431Вт, PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031885
Артикул
IPW60R045CPFKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
6.2
Цена по запросу
(от 1 661,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г6.2
Channel TypeN Channel
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Power Dissipation431Вт
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max)431W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO247-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drain Source On State Resistance0.04Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6800 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A(Tc)
Непрерывный Ток Стока60А
Рассеиваемая Мощность431Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.04Ом

Техническая документация