Моя заявка (0)

IPW60R041C6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 77,5A 481Вт 0,041Ом TO247

IPW60R041C6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 77,5A 481Вт 0,041Ом TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031884
Артикул
IPW60R041C6FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.21mm
Series
CoolMOS C6
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 1 524,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

Width5.21mm
SeriesCoolMOS C6
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г6.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTUBE, 30 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation481 W
Typical Gate Charge @ Vgs290 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance41 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current77.5 A
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/90
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1

Техническая документация