IPW60R040C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 50А, 227Вт, PG-TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070058648
- Артикул
- IPW60R040C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOSв„ў C7 ->
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOSв„ў C7 -> |
| Package | Tube |
| Series: | CoolMOS C7 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 0.25 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO 247 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IPW60R040C7 SP001296190 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
| Base Product Number | IPW60R040 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 81 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |