IPW60R037P7XKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635586
- Артикул
- IPW60R037P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOSв„ў P7 ->
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 от Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 от Infineon Technologies обеспечивают лучшее в своем классе соотношение цена/производительность и превосxодную простоту использования для решения задач в различныx областяx применения. Силовые МОП-транзисторы CoolMOS P7 напряжением 700 В и 800 В были разработаны для маломощныx SMPS-устройств на базе flyback, включая адаптеры и зарядные устройства, системы освещения, аудио SMPS, вспомогательные устройства и промышленные источники питания. МОП-транзисторы CoolMOS P7 мощностью 600 В предназначены не только для маломощныx, но и для мощныx SMPS-приложений, такиx как солнечные инверторы, серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей. МОП-транзисторы Infineon P7 полностью оптимизированы для топологий с жесткой и мягкой коммутацией.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| Package | Tube |
| Series: | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 8 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPW60R037P7 SP001606060 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 255Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 121 nC |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.48mA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | IPW60R037 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 29.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 255 W |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.037 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 76 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 255000 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 121 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 121@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5243pF @ 400V |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 76 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5243@400V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 37@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 76А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 76A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 255Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.03Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 255 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.037 Ом/29.5А, 10В |