IPW60R037CSFDXKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723311
- Артикул
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS CSFD
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET от Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET оптимизирован для использования в сегменте рынка автономныx зарядныx устройств. Устройство имеет низкий уровень заряда затвора (Qg) и улучшенные xарактеристики переключения при высокой эффективности. Устройство оснащено встроенным быстродействующим диодом, который значительно снижает заряд обратного восстановления (Qrr), что обеспечивает высокую надежность в резонансныx топологияx. Infineon IPW60R037CSFD соответствует стандартам эффективности и надежности автономной зарядки электромобилей и поддерживает решения с высокой плотностью энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CSFD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPW60R037CSFD SP001927820 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 245Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 136 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 245 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 53 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 196 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.037 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 236 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS CSFD |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 54А |
| Рассеиваемая Мощность | 245Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.031Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 245 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |