CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 111 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R018CFD7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564531
- Артикул
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolMOS™
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 4 475,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Cool MOS от Infineon представляет собой революционную теxнологию для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанную в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые внедренную компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolMOS™ |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 416Вт |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPW60R018 -> |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.018 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 111 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 101А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 101A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 416Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 111 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 416 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |