IPU95R3K7P7AKMA1, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000571139
- Артикул
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolMOSв„ў P7 ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPU95R3K7P7, SP001792320
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 25 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation | 22Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPU95R3 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.37 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 3.11Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 22Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.11Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.11 Ом |