Моя заявка (0)

IPU80R900P7AKMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Through Hole

IPU80R900P7AKMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8632610818
Артикул
IPU80R900P7AKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Вес, г
1.134
Серия
CoolMOS P7
Цена по запросу
(от 237 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Технические параметры

SeriesCoolMOS™ P7
Pin Count3
Вес, г1.134
СерияCoolMOS P7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада20 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-251-3
Maximum Drain Source Voltage800 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Qg - заряд затвора15 nC
Maximum Drain Source Resistance0.9 Ω
Время нарастания8 ns
Maximum Continuous Drain Current6 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности45 W
Другие названия товара №IPU80R900P7 SP001633512
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки1500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения40 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.77 Ом

Техническая документация