IPU80R4K5P7AKMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 800 В 1.5 А 13 Вт PG-TO251-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062293569
- Артикул
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- IPAK
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™
- Military
- No
Цена по запросу
(от 95,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дизайн Infineon серии Cool MOS™ P7 устанавливает новый стандарт в области теxнологий super junction 800 В и сочетает в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.
Технические параметры
| Case | IPAK |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ |
| Military | No |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 80 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Вес, г | 0.42 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Gate charge | 4nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 1A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPU80R4K5P7 SP001422748 |
| Supplier Package | TO-251 |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 13W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 4.5Ω |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain-source voltage | 800V |
| Pulsed drain current | 2.6A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 80 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 13 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Qg - заряд затвора | 4 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 13000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4@10V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 80@500V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4500@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 13 W |
| Другие названия товара № | IPU80R4K5P7 SP001422748 |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |