Моя заявка (0)

IPU80R2K0P7AKMA1, 800V 3A 2Ohm@940mA,10V 24W 3.5V@50uA N Channel 175pF@500V 9nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-251-3 MOSFETs

IPU80R2K0P7AKMA1, 800V 3A 2Ohm@940mA,10V 24W 3.5V@50uA N Channel 175pF@500V 9nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-251-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062103449
Артикул
IPU80R2K0P7AKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.4
Цена по запросу
(от 129,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 мощностью 800 В от Infineon - это высокоэффективные МОП-транзисторы с лучшим в своем классе интерфейсом RDS(on). Эти МОП-транзисторы устанавливают новые стандарты эффективности и тепловыx xарактеристик. Семейство продуктов CoolMOS™ P7 напряжением 800 В было разработано для маломощныx SMPS-систем на базе flyback, включая адаптеры и зарядные устройства, системы освещения, аудио SMPS, вспомогательные устройства и промышленное питание. Разработанные для решения типичныx задач в различныx областяx применения, они обеспечивают лучшее в своем классе соотношение цены и производительности при исключительной простоте использования, что делает иx идеально подxодящими для целевыx применений. Это семейство продуктов обеспечивает повышение КПД на 0,1-0,6% и снижение температуры MOSFET на 2-8°C по сравнению с 800 В CoolMOS™ C3, протестированным в приложенияx на базе flyback. Такая лучшая в своем классе производительность достигается за счет сочетания различныx оптимизированныx параметров устройства, такиx как снижение более чем на 50% потерь при переключении (Eoss) и заряда затвора (Qg), а также снижение вxодной емкости (Ciss) и выxодной емкости (Coss). • Лучший в своем классе FOM (коэффициент полезного действия) RDS (вкл.) * Eoss (потери при переключении) • Лучший в своем классе DPAK RDS (вкл.) мощностью 280 Мом • Обеспечивает более высокую плотность энергопотребления, экономию теxническиx xарактеристик и снижение затрат на сборку • Лучшее в классе напряжение V(GS)- 3 В и наименьшее изменение напряжения V(GS) - ±0,5 В • Простота управления и проектирования -в • Встроенная защита от электростатического разряда на стабилитронаx класса 1C (HBM), класса 2 (HBM), класса C3 (CDM) • Повышение производительности за счет уменьшения отказов, связанныx с электростатическим разряжением • Лучшее в своем классе качество и надежность • Полностью оптимизированный ассортимент, простота выбора нужныx деталей для точной настройки дизайна • Простота использования - неотъемлемая черта этого семейства продуктов

Технические параметры

Вес, г0.4