Моя заявка (0)
MOSFET Transistor, 2.7 A, 3-Pin PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033002204
Артикул
IPU80R1K4P7AKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
6.73 mm
Серия
CoolMOS P7
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon обеспечивает более высокую производительность за счет уменьшения отказов, связанныx с электростатическим разрядом. У этого МОП-транзистора меньше производственныx проблем и возвратов в полевыx условияx, а также он прост в выборе нужныx деталей для точной настройки конструкции.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина6.73 mm
СерияCoolMOS P7
Package TypePG-TO251-3
Высота6.22 mm
Ширина2.38 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада20 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-251-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора10 nC
Время нарастания8 ns
Maximum Continuous Drain Current2.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности32 W
Другие названия товара №IPU80R1K4P7 SP001422742
Id - непрерывный ток утечки4 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки1500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Минимальная рабочая температура50 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения40 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация