IPU80R1K2P7, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,1А, 37Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003221636
- Артикул
- IPU80R1K2P7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- IPAK
- Mounting
- THT
- Technology
- CoolMOS™ P7
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 104,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,1А, 37Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | IPAK |
| Mounting | THT |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 11nC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 3.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 37W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.2Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Особенности | - |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |