IPU60R2K1CEAKMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8417077524
- Артикул
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 6.7 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 38 W
- Series
- 600V CoolMOS™ CE
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Q(g) | 6.7 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 38 W |
| Series | 600V CoolMOS™ CE |
| Package | TO-251 |
| R(thJC) | 3.26 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | CoolMOS CE |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 2100 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 3.7 A |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 6.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.1 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Другие названия товара № | IPU60R2K1CE SP001493880 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.7 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 Ом |