Моя заявка (0)

CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU60R1K5CEAKMA2

CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU60R1K5CEAKMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556195
Артикул
IPU60R1K5CEAKMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Series:
CoolMOS CE
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS™ CE подxодит для систем с жесткой и мягкой коммутацией и, являясь современным суперпереключателем, обеспечивает низкую проводимость и коммутационные потери, повышая эффективность и, в конечном счете, снижая энергопотребление.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS™ CE
Series:CoolMOS CE
Pin Count3
Packaging:Tube
Tradename:CoolMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-251-3
Part # Aliases:IPU60R1K5CE SP001396898
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:49 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Drain Source Resistance1.5 Ohm
Maximum Continuous Drain Current5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация