Моя заявка (0)
IPU60R1K5CEAKMA2, MOSFETs CONSUMER

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004635582
Артикул
IPU60R1K5CEAKMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Series:
CoolMOS CE
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 70,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS™ CE
Series:CoolMOS CE
Pin Count3
Packaging:Tube
Tradename:CoolMOS
Вес, г83
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-251-3
Part # Aliases:IPU60R1K5CE SP001396898
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.4 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:49 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Drain Source Resistance1.5 Ohm
Maximum Continuous Drain Current5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация