Моя заявка (0)

OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 77 A, 250 V, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) IPTG210N25NM3FDATMA1

OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 77 A, 250 V, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) IPTG210N25NM3FDATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033014045
Артикул
IPTG210N25NM3FDATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 3
Pin Count
8
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)
Минимальный заказ: 1800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS IPTG210N25NM3FD поставляется в усовершенствованном корпусе с выводами типа "крыло чайки".

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS™ 3
Pin Count8
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG HSOG-8(TOLG)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOG-8
Part # Aliases:IPTG210N25NM3FD SP005431198
Power Dissipation375Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:375 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage250 V
Id - Continuous Drain Current:77 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.021 Ω
Drain Source On State Resistance0.0182Ом
Maximum Continuous Drain Current77 A
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Линейка ПродукцииOptiMOS 3
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока77А
Рассеиваемая Мощность375Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1800
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds250В
Стиль Корпуса ТранзистораHSOG
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0182Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А77
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0182 Ом

Техническая документация