OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) IPTG111N20NM3FDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014044
- Артикул
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 3
- Pin Count
- 8
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 2 520 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD поставляется в усовершенствованном корпусе с выводами типа "крыло чайки".
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Pin Count | 8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG HSOG-8(TOLG) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOG-8 |
| Part # Aliases: | IPTG111N20NM3FD SP005431194 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 108 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0111 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 108 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 108 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |