IPTG039N15NM5ATMA1, HSOG-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044616019
- Артикул
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Rise Time:
- 4.5 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HSOG-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPTG039N15NM5 SP005676943 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1800 |
| Pd - Power Dissipation: | 319 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 190 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |